北京国联万众半导体科技有限公司

公司成立于2015年3月，注册资金12,978万元。公司位于北京市顺义区文良街15号，占地面积2.81万平方米，建筑面积7.1万平方米。公司主营业务为第三代半导体氮化镓和碳化硅芯片、器件的设计、生产与销售。氮化镓射频功放芯片达到国际领先水平，并已在世界主流通信公司得到规模应用；碳化硅二极管和MOSFET产品技术水平国际先进水平，并已在新能源汽车上开始批量应用。

公司同时拥有国家“双创”支撑平台、众创空间、中关村硬科技孵化平台、北京市科技企业孵化器等资质，是国家第三代半导体创新技术中心（北京）主要建设和运营单位，公司以成为“国家网信事业主力军”为发展战略，以实现第三代半导体核心器件自主可控为己任，以解决第三代半导体关键技术和实现产业化为目标，目标成为具有国际竞争力的第三代半导体骨干企业。